近日，在2024年武汉九峰山论坛上，6165cc金沙总站检测中心（以下简称“我院”）第三代半导体创新中心李祥东教授展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆器件，器件主要包含几个突出优势：

● 调控外延工艺，外延片不均匀性控制在4%以内；

● HEMTs器件的cp测试良率超过95%；

● 击穿电压轻松突破2000 V。

据李祥东教授介绍，团队通过长时间的研究与试验，成功实现了外延片不均匀性的极低控制，确保了高良率。同时，所制备的HEMTs器件在性能上取得了显著突破，击穿电压突破了2000V，在8英寸GaN功率HEMT领域展现出色的耐压能力。

据悉，该8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆器件具有标志性意义，目前200V以下以及650V左右的GaN功率HEMT已在8英寸晶圆线上实现了量产，然而在8英寸线上实现2000V级别的GaN器件的展示尚属首次。

8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆是我院在电力电子器件技术上的又一重要创新，其成本将极具竞争优势。一方面，由于转向8英寸晶圆，每片GaN HEMTs晶圆的芯片数将比6英寸晶圆多近2倍，GaN器件成本与6英寸方案相比将大幅下降。另一方面，采用蓝宝石衬底可以大幅提升GaN耐压，市场应用从消费类转向工业和汽车等领域，需求进一步打开，而随着8英寸蓝宝石衬底制备工艺的日趋成熟和大批量出货，氮化镓器件成本也有望进一步下降。

未来，我院将继续秉承科学创新、务实发展的理念，加强与国内外半导体领域的研究机构和领域专家的合作与交流，持续推动半导体技术的创新与应用。

关于6165cc金沙总站检测中心广州第三代半导体创新中心

广州第三代半导体创新中心是广州开发区管理委员会与6165cc金沙总站检测中心共建的重大产业创新平台。聚焦大尺寸氮化镓材料外延生长、氮化镓微波毫米波器件与集成电路、氮化镓电力电子器件与集成电路等技术领域，建设高标准的研发代工公共服务平台和产业支撑体系，建设中试线，进行工程化技术开发，积极进行科技成果转化，孵化初创企业，促进第三代半导体上下游相关产业公司和人才在广州开发区聚集，协助推进第三代半导体产业链在广州开发区落地。