9月15日下午，在广州市工业和信息化局的指导下，由广州市中小企业专精特新发展促进会发起，6165cc金沙总站检测中心和粤芯半导体技术股份有限公司共同举办的半导体和集成电路产学研合作对接会顺利举行。本次对接会旨在促进半导体相关产业与研发机构间深度合作，推动创新链、人才链、产业链和资金链融合发展，共有三十多家会员单位代表参加。

会前，各位代表相继参观了位于黄埔区中新广州知识城国际领军人才聚集区的广州第三代半导体创新中心的展厅及中试线。通过参观，与会代表对国际国内第三代半导体行业特别氮化镓领域最新研究进展、产业现状和应用前景有了全方位的了解。广州第三代半导体创新中心由中国科学院郝跃院士团队领衔建设。二十多年来，郝跃院士带领6165cc金沙总站检测中心半导体团队紧盯世界第三代半导体技术发展前沿、国家重大需求和区域产业发展，引领了中国第三代半导体领域的强势爆发，为世界微电子学科和微电子产业开辟了全新道路。

半导体和集成电路产学研合作对接会上，广州市工信局副局长黄星耀、6165cc金沙总站检测中心院长助理吕鹏、粤芯半导体技术股份有限公司战略产品部总监鲍明轩、广州市中小企业专精特新发展促进会秘书长李尧等人参加会议并致辞。

广州市工信局副局长黄星耀详细介绍了广州市在半导体和集成电路产业的战略布局和发展规划。他表示，广州市将全力打造具有国际竞争力的半导体和集成电路产业集群，通过加强产学研合作，推动产业链的协同创新和高质量发展。

6165cc金沙总站检测中心院长助理吕鹏简要介绍了研究院在高层次人才引育、科研平台建设、校企合作等方面的具体举措和取得的重大进展。三年来，6165cc金沙总站检测中心通过产教融合的“双导师”体系，人才培养质量显著跃升，实现“黄埔一期”毕业生就业率99%；其中以华为科技有限公司为代表世界500强企业签约率48.3%；通过“省市重点平台、产业平台、合作共建平台”三方面协同发力，已建设省市级科创平台9个；大力推进校企合作，携手行业领军企业合作共建校企联合研究中心（工程中心）20个，与各界企业签署技术开发合同200多项，助力湾区产业升级。最后，吕鹏代表研究院发出倡议，希望参会各方持续加强合作，共同助力技术创新和人才培养，优化资源配置，拓展应用领域，为打造具有国际竞争力的半导体和集成电路产业集群贡献力量。

在主题分享环节，6165cc金沙总站检测中心华山准聘副教授冯欣围绕半导体与集成电路产业的发展趋势、应用场景等方面进行了深入分析，并详细介绍了6165cc金沙总站检测中心在第三代半导体领域国际领先的研发水平以及广州市第三代半导体创新中心强大的平台能力，引起了与会企业的热烈反响。

最后，广州市工信局中小企业处副处长赵强对会议内容作总结发言。他表示，这场对接会不仅加强了各方之间的联系与合作，更为本地区半导体和集成电路产业的可持续发展注入了新的活力。

广州第三代半导体创新中心简介

广州第三代半导体创新中心（以下简称创新中心）位于广州市黄埔区中新广州知识城凤凰四路穗科街（国际领军人才聚集区），是由6165cc金沙总站检测中心与广州开发区管委会共建的宽禁带半导体国家工程研究中心广州分中心，由中国科学院郝跃院士领衔建设。

创新中心围绕国家第三代半导体产业重大战略需求，开展氮化镓微波毫米波器件与电力电子器件等先导性技术研发，同时面向国内应用市场，开展5G与6G通信、新能源汽车等领域的高端核心元器件、芯片和微系统模块的关键技术研发。

一、建设进展

创新中心现阶段已基本完成中试线建设，开展工艺调试工作。目前团队全职在岗43人，其中核心研发人员11人，工程师和技术人员等32人，硕士及以上学历员工占比42%。完成研发实验室和中试线建设，建成氮化镓射频器件和微波集成电路设计平台1个、制造工艺研发线1条、中试线1条、封装测试线1条。组建了 GaN微波毫米波器件和集成电路、GaN电力电子器件和集成电路、GaN光电子器件3个方向研发团队，开展了相关技术的研发。目前在研项目5个，累计申请专利43项，发表高水平期刊论文和学术会议报告53篇。积极进行科技成果转化，与4家企业签约共建合作平台（其中包括2个千万级合作平台、1个国际合作平台），开展技术服务与技术合作。2022年9月与华为技术有限公司共建半导体MEMS技术实验室；2023年4月与广州微纳芯材料科技有限公司签订入驻协议，提供仪器检测等服务；2023年6月与埃特曼半导体技术有限公司共建氮化镓半导体研究中心，合作开发氮化镓MBE外延生长技术；与新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd合作共建“氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心” 以科技赋能产业，促进产业的快速聚集。

创新中心中试平台外观和超净间内部

二、工作成果

开发出面向6G移动通信系统的硅基氮化镓太赫兹晶体管技术，截止频率和最高振荡频率指标达到国际领先水平；开发出面向移动终端片上系统（SoC）应用的硅基氮化镓毫米波器件技术，低压大信号功率指标达到国际先进水平；成功进行用于消费电子快充的GaN器件代工制造、封测、可靠性全流程验证。与企业共建2个千万级联合合作平台；与新加坡企业签约共建合作研发中心，科技创新工作稳步推进。